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技术领域：本发明涉及一种直拉式单晶生长炉。背景技术：图1为切克劳斯基(直拉)法硅单晶的单晶炉剖面示意图，图1-2 中，l为炉筒，2为保温盖，3为保温盖，4为保温材津牛，5为保温罩，6为 加热器，7为水套，8为石英埚，9为导流筒，IO为护盘，12为氩气输 入管，11为分布有孔11-1的环形气体分布器，13为排气口。名称：直拉式单晶生长炉的方法直拉式单晶生长炉的方法直拉硅单晶在生长过程中需要向炉内不断充入氩气尤其是坩埚 支持器下方的空间较大，导致坩埚支持器下方的混合气体不能及时排出， 热能消耗量较大，另外，现有技术中，从氩气输入管向炉内充入氩气时， 充气气压为1. 3x 103pa，氩气流量为40L/min，因此其氩气消耗量大，生产 成本较高。

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4.6检查断电保护和二次回路的工作人员，未经值班人员许可，不准进行任何倒闸作。配电箱注意事项编辑1.配电箱（盘）的标高或垂直度超出允许偏差：是由于测量不准确或者是地面高低不平造成的，应及时进行修正。2.配电箱铁架不方正：在铁架之前未进行调直找正，或时固定点位置偏移造成的，应用吊线重新找正后再进行固定。压头不牢，压头伤线芯，多股导线压头未装压线端子。闸具下方未装卡片框，螺钉不紧的应拧紧，间距应按要求调整均匀，找平整。伤线芯的部分应剪掉重接。平整或间距不均仪表不牢固3.配电箱盘面电具多股线应装上压线端子，卡片框应补装。4.接地导线截面不够或保护地线截面不够，保护地线串接，对这些不符合要求的应按有关规定进行纠正。 单晶棒等径控制是单晶炉控制的。单晶直径在生长过程中课受到温度、提拉速度与转速、坩埚 速度与转速、生长物理环境、保护气体的流速与温度、冷却水流的流速与温度等因素的影响。归纳起来，无外乎是热场波动和生长速度变化两大类。因此，炉内热场设置，生长温度补偿、速度等参数选配是控制单晶外形的基本条件，炉内热场和生长速度的控制是单晶等径控制的。由于影响单晶等径生长的因素较多，控制对象数学模型难以建立，且这些因素本身以及它们之间的关系是模糊的、不确定的。系统具有非线性、时和大惯性的特征。因而，单晶炉单晶等径生长控制采用模糊控制策略是比较合适的。